清華大學無錫應用技術研究院集成電路創(chuàng)新服務平臺
型號：Talos F200X/FEI F20
關鍵詞:TEM,透射,F200
產地：美國
詳細內容：
性能指標：加速電壓: 200 KV； 電子槍：肖特基熱場發(fā)射超亮電子槍； TEM點分辨率：0.25 nm； TEM信息分辨率: 0.12 nm； STEM分辨率: 0.16 nm； 樣品傾斜角度X/Y：±30°； 能譜能量分辨率：136 ev; 元素檢測范圍：B～U元素。
主要應用：1. 對金屬、陶瓷、半導體、塑料、納米顆粒等各種材料進行超微結構觀察； 2. 粉末、納米顆粒形貌和粒徑觀察； 3. 選區(qū)電子衍射和晶體結構分析； 4. 配合能譜儀可對樣品元素進行點、線、面分析；
測試項目：測試項目：電子衍射（SAED）、（高分辨）透射電鏡成像（TEM/HR-TEM）；（高分辨）掃描透射電鏡成像（STEM/HR-STEM）；X射線能譜分析和元素面分析（EDS，STEM-EDS mapping）
制樣要求：粉末5mg，溶液0.5mL，可接受金屬塊體弱磁樣品（含F(xiàn)e、Co、Ni磁鐵不吸）
收費標準：
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