HQ-8B
反應(yīng)室真空5×10-4Pa。
極限真空:5E-6 Torr。
載片臺可加溫100~450度。
沉積材料:SiO2、Si3N4、GeO2 可進(jìn)行氘離子摻雜。
工藝溫度:最高400℃。
樣品尺寸:4英寸向下兼容。
淀積不均勻性:≤±5%。
等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積設(shè)備是一種用于在基片上生成高質(zhì)量SiNx和SiO2薄膜的專用設(shè)備。
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